Филиал «Фрязинский завод мощных транзисторов»
открытого акционерного общества
«Центральный научно-исследовательский институт «Дельфин»
(Филиал «ФЗМТ» ОАО «ЦНИИ «Дельфин»)

Россия, 141190, наукоград Фрязино, М.О., Заводской проезд, 3, т. (495) 465-88-68, т/ф (495) 660-15-62, fzmt@post.ru.
Отдел сбыта: т/ф (495) 660-00-71, (496) 565-28-57, sbit@fzmt.ru.

ФЗМТ: Мощный IGBT транзистор 2Е802А, А1

Кремниевые биполярные транзисторы с изолированным затвором 2Е802А, 2Е802А1 АЕЯР.4321140.283ТУ в металлостеклянных корпусах КТ-9, КТ-97В предназначены для применения в качестве силового ключа в аппаратуре специального назначения. Климатическое исполнение УХЛ, категория размещения 3.1, 5.1

600 В — 23 А

Транзистор 2Е802А в корпусе КТ-9 (аналог TO-3)
Масса не более 20 г.

Транзистор 2Е802А1 в корпусе КТ-97В (аналог TO-254)
Масса не более 7,5 г.

Предельно допустимые значения режимов эксплуатации при tК = +(25 ±10) °С

Наименование параметра, единица измерения Обозначение Норма
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В UКЭ мах 600
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, В UКЭ, И мах 600
Максимально допустимое напряжение затвора, В UЗ проб мах ±20
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А IК мах 23
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А IК, И мах 46
Максимально допустимая постоянная рассеивающая мощность коллектора, Вт PК мах 100

 

Основные электрические параметры при tК = +(25±10) °С

Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) Обозначение Норма
Не менее Не более
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА
(RЗЭ = 0 Ом, UКЭК = 600 В)		 IКЭК — 0,25
Ток утечки затвора, нА
(UЗЭ = ±20 В)		 IЗ ут — 100
Пороговое напряжение затвора, В
(UКЭ = UЗЭ, IК = 1 мА)		 UЗЭ пор 3 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
(IК = 12 А, UЗЭ = 15 В, RЗ = 15 Ом)		 UКЭ нас — 2,7
Время спада, мкс
(UЗЭ = 15 В, RЗ = 15 Ом, LК = 4,5 мГн, IК = 10 А, UКЭ = 100 В)		 tсп — 0,15
Время рассасывания, мкс
(UЗЭ = 15 В, RЗ = 15 Ом, LК = 4,5 мГн, IК = 10 А, UКЭ = 100 В)		 tрас — 0,5
Тепловое сопротивление перехода-корпус, °С/Вт
 		 RТ п-к — 1,25

Главная

Контакты

Изделия «5»:

Биполярные МТ

Дарлингтона МТ

IGBT МТ

МОП МТ

Изделия «1»:

Биполярные МТ

Дарлингтона МТ

IGBT МТ

Симисторы (Триаки)

Последние освоенные разработки:

Измеритель заряда затвора ИЗЗ-01

МОП МТ

Биполярный МТ 2Т935Б, Б1

IGBT МТ 2E802A, A1

IGBT МТ 2E802Б

Научно- исследовательская работа

Перспективные разработки

2П7160

КР400-100

КР400-1000

Корпуса транзисторов

Сертификаты и уставные документы

Перечень изделий с военной приёмкой

Перечень изделий с приёмкой ОТК

Как проехать

Филиал «ФЗМТ» ОАО «ЦНИИ «Дельфин». Россия, 141190, наукоград Фрязино, М.О., Заводской проезд, 3.
Отдел сбыта: т/ф (495) 660-00-71, (496) 565-28-57, sbit@fzmt.ru.

Техническое обеспечение и поддержка сайта — Александр Жердев, 2007—2012.
© Филиал «ФЗМТ» ОАО «ЦНИИ «Дельфин», 2005—2012.