|
|
|
|
|
|
 |
Филиал «Фрязинский завод мощных транзисторов» открытого акционерного общества «Центральный научно-исследовательский институт «Дельфин»
(Филиал «ФЗМТ» ОАО «ЦНИИ «Дельфин») |
|
|
Россия, 141190, наукоград Фрязино, М.О., Заводской проезд, 3, т. (495) 465-88-68, т/ф (495) 660-15-62, fzmt@post.ru.
Отдел сбыта: т/ф (495) 660-00-71, (496) 565-28-57, sbit@fzmt.ru.
|
|
|
|
|
|
ФЗМТ: Мощный биполярный транзистор 2Т935Б, Б1
Мощные кремниевые n—p—n переключательные транзисторы типа 2Т935Б, 2Т935Б1 аА0.339.006ТУ в металлостеклянных корпусах типа КТ-97В и металлокерамических корпусах типа КТ-19А-3 предназначены для работы в схемах аппаратуры специального назначения.
Климатическое исполнение УХЛ и В при защите транзистора трехслойным лаковым покрытием в составе аппара-туры.
 |
 |
Транзистор 2Т935Б в корпусе КТ-97В (коллекторный вывод соединен с корпусом) Масса не более 7,5 г |
Транзистор 2Т935Б1 в корпусе КТ-19А-3 (все выводы изолированы от корпуса) Масса не более 5 г |
Предельно допустимые значения режимов эксплуатации при tК = +(25±10) °С.
| Наименование параметра, единица измерения |
Обозначение |
Норма |
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ = 10 Ом), В |
UКЭR max |
130 |
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ = 10 Ом), В |
UКЭR, И max |
130 |
| Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В |
UЭБ max |
5 |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А |
IК max |
20 |
| Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А |
IК, И max |
30 |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт |
PК max |
90 |
| Максимально допустимая температура перехода, °С |
tK max |
150 |
| Максимально допустимая температура корпуса, °С |
tП max |
125 |
Основные электрические параметры при tК = +(25±10) °С.
| Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) |
Обозначение |
Норма |
| Не менее |
Не более |
Статистический коэффициент передачи тока (UКЭ = 5 В, IК = 15 А) |
h21Э |
12 |
55 |
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА (RЭБ = 10 Ом, UКЭ = 150 В |
IКЭR |
— |
0,2 |
Обратный ток эмиттера, мА (UЭБО = 4 В) |
IЭБО |
— |
30 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (IК = 7,5 А, IБ = 1,0 А) |
UКЭ нас |
— |
1,0 |
Граничное напряжение, В (IК = 1 А, L = 10 мГн, RБЭ = ∞ Ом) |
UКЭО гр |
70 |
— |
Время рассасывания, мкс (UКК = 50 В, IК = 7,5 А, L = 4,5 мГн, UБЭ = −4 В) |
tРАС |
— |
1,5 |
Время спада, мкс (UКК = 50 В, IК = 7,5 А, IБ1 = 1,0 А, L = 4,5 мГн, UБЭ огр = −4 В) |
tСП |
— |
0,2 |
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт |
RТ П-К |
— |
1,4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Филиал «ФЗМТ» ОАО «ЦНИИ «Дельфин». Россия, 141190, наукоград Фрязино, М.О., Заводской проезд, 3.
Отдел сбыта: т/ф (495) 660-00-71, (496) 565-28-57, sbit@fzmt.ru.
Техническое обеспечение и поддержка сайта — Александр Жердев, 2007—2012.
© Филиал «ФЗМТ» ОАО «ЦНИИ «Дельфин», 2005—2012.
|
|
|
|
|
|
|
|