Филиал «Фрязинский завод мощных транзисторов»
открытого акционерного общества
«Центральный научно-исследовательский институт «Дельфин»
(Филиал «ФЗМТ» ОАО «ЦНИИ «Дельфин»)

Россия, 141190, наукоград Фрязино, М.О., Заводской проезд, 3, т. (495) 465-88-68, т/ф (495) 660-15-62, fzmt@post.ru.
Отдел сбыта: т/ф (495) 660-00-71, (496) 565-28-57, sbit@fzmt.ru.

ФЗМТ: Мощный биполярный транзистор 2Т935Б, Б1

Мощные кремниевые n—p—n переключательные транзисторы типа 2Т935Б, 2Т935Б1 аА0.339.006ТУ в металлостеклянных корпусах типа КТ-97В и металлокерамических корпусах типа КТ-19А-3 предназначены для работы в схемах аппаратуры специального назначения.

Климатическое исполнение УХЛ и В при защите транзистора трехслойным лаковым покрытием в составе аппара-туры.

Транзистор 2Т935Б в корпусе КТ-97В
(коллекторный вывод соединен с корпусом)
Масса не более 7,5 г

Транзистор 2Т935Б1 в корпусе КТ-19А-3
(все выводы изолированы от корпуса)
Масса не более 5 г

 

Предельно допустимые значения режимов эксплуатации при tК = +(25±10) °С.

Наименование параметра, единица измерения Обозначение Норма
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
(RЭБ = 10 Ом), В
UКЭR max 130
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
(RЭБ = 10 Ом), В
UКЭR, И max 130
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В UЭБ max 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А IК max 20
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А IК, И max 30
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт PК max 90
Максимально допустимая температура перехода, °С tK max 150
Максимально допустимая температура корпуса, °С tП max 125

 

Основные электрические параметры при tК = +(25±10) °С.

Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) Обозначение Норма
Не менее Не более
Статистический коэффициент передачи тока
(UКЭ = 5 В, IК = 15 А)
h21Э 12 55
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА
(RЭБ = 10 Ом, UКЭ = 150 В
IКЭR 0,2
Обратный ток эмиттера, мА
(UЭБО = 4 В)
IЭБО 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
(IК = 7,5 А, IБ = 1,0 А)
UКЭ нас 1,0
Граничное напряжение, В
(IК = 1 А, L = 10 мГн, RБЭ = ∞ Ом)
UКЭО гр 70
Время рассасывания, мкс
(UКК = 50 В, IК = 7,5 А, L = 4,5 мГн, UБЭ = −4 В)
tРАС 1,5
Время спада, мкс
(UКК = 50 В, IК = 7,5 А, IБ1 = 1,0 А, L = 4,5 мГн, UБЭ огр = −4 В)
tСП 0,2
Тепловое сопротивление
переход-корпус, °С/Вт
RТ П-К 1,4