Мощные радиационностойкие полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1 в металлокерамических корпусах с приемкой ВП

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1 с изолированным затвором и обратным диодом в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах с планарными гибкими плоскими выводами предназначены для работы в качестве силовых ключей в аппаратуре специального назначения.

Транзисторы изготавливают одного типа двадцати четырех типономиналов.

Категория качества приборов – «ВП» (приемка «5»).

Таблица основных параметров

Наименование изделия	Тип корпуса	Предельно допустимые электрические режимы					Электрические параметры и тепловое сопротивление
		UСИ max, B	UЗИ max, B	IС max, А	IС(И) max, А	PС мах, Вт	IС нач, мА	IЗ ут, нА	UЗИ пор, B	RСИ отк, Ом	tсп, мкс	RТ п-к, °С/Bт
2П7160А2 2П7160A3•	КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02	30	±20	46	70	125	≤0,2	≤100	2—4	0,006 (IС = 20 А, UЗИ = 12 В)	≤0,15	≤1,00
2П7160Б2 2П7160Б3•	КТ-111A-1.02 КТ-111A-2.02	100	±20	20	50	75	≤0,2	≤100	2—4	0,048 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В)	≤0,12	≤1,67
2П7160В2 2П7160В3•	КТ-111B-1.02 КТ-111B-2.02	200	±20	35	70	125	≤0,2	≤100	2—4	0,080 (IС = 12 А, UЗИ = 10 В)	≤0,15	≤1,00
2П7160Г2 2П7160Г3•	КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02	400	±20	23	46	150	≤0,2	≤100	2—4	0,200 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В)	≤0,15	≤0,83
2П7160Д2 2П7160Д3•	КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02	500	±20	20	46	150	≤0,2	≤100	2—4	0,230 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В)	≤0,15	≤0,83
2П7160Е2 2П7160Е3•	КТ-111B-1.02 КТ-111B-2.02	60	±20	35	70	150	≤0,2	≤100	2—4	0,008 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В)	≤0,15	≤0,83
2П7160Ж2 2П7160Ж3•	КТ-111A-1.02 КТ-111A-2.02	100	±20	20	50	100	≤0,2	≤100	2—4	0,036 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В)	≤0,13	≤1,25
2П7160И2 2П7160И3•	КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02	200	±20	35	70	150	≤0,2	≤100	2—4	0,055 (IС = 12 А, UЗИ = 10 В)	≤0,15	≤0,83
2П7160К2 2П7160К3•	КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02	600	±20	20	46	150	≤0,2	≤100	2—4	0,270 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В)	≤0,15	≤0,83
2П7160Л3	КТ-111С-5	1200	±20	10	25	200	≤0,2	≤100	2—4	1,00 (IС = 5 А, UЗИ = 15 В)	≤0,15	≤0,625
2П7160М3	КТ-111С-5	600	±20	20	60	180	≤0,2	≤100	2—4	0,15 (IС = 10 А, UЗИ = 15 В)	≤0,15	≤0,69
2П7160Н3	КТ-111С-5	100	±20	50	150	150	≤0,2	≤100	2—4	0,01 (IС = 25 А, UЗИ = 15 В)	≤0,10	≤0,83
2П7160П3	КТ-111С-5	60	±20	50	150	150	≤0,2	≤100	2—4	0,005 (IС = 30 А, UЗИ = 15 В)	≤0,10	≤0,83
2П7160Р2 2П7160Р3	КТ-111А-1.02 КТ-111А-2.02	30	±20	20	50	100	≤0,2	≤100	2—4	0,008 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В)	≤0,15	≤1,25

В зависимости от типономинала возможны три варианта исполнения без металлизации обратной стороны корпуса:

• в корпусах типа КТ-111A,B,C-1.02 с крепежным отверстием во фланце. Масса транзистора в корпусе КТ-111A-1.02 — 2,0 г, КТ-111B-1.02 — 3,4 г, КТ-111C-1.02 — 4,1 г
• в корпусах типа КТ-111A,B,C-2.02 без крепежного отверстия во фланце. Масса транзистора в корпусе КТ-111A-2.02 — 1,8 г, КТ-111B-2.02 — 3,1 г, КТ-111C-2.02 — 3,6 г
• в корпусах типа КТ-111C-5 без крепежного отверстия во фланце. Масса транзистора в корпусе КТ-111C-5 — 4,5 г

Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор). Приборы без крепежного отверстия пригодны для SMD сборки.

Транзисторы обладают повышенной стойкостью к воздействиям спецфакторов.

Транзисторы в корпусах типа КТ-111А,В,С-1.02 включены в Решение от 2020 г. о снятии с производства. В новых разработках не применять!

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

• Транзистор 2П7160А2 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.
• Транзистор 2П7160А3• АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.

Транзисторы в корпусах типа КТ-111 рекомендуется крепить к теплоотводу механическим способом при помощи прижимов в соответствии с рисунками 1 и 2.

Вариант установки транзисторов при помощи прижимов предпочтителен.

1 — транзистор; 2 — теплоотвод; 3 — винт М2,5; 4 — прижим ПБВК.745441.002 (корпус КТ-111А), ПБВК.745441.002-01 (корпус КТ-111В), ПБВК.745441.002-02 (корпус КТ-111С); 5 — гровер шайба; 6 — шайба; 7 — втулка изолирующая полипропиленовая 3.1, 6 мм 180°; крутящий момент не более 28 Н·см.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту КПТ-8 ГОСТ 19783-74.

Допускается транзисторы крепить к теплоотводу с применением теплопроводящих клеев с учетом их теплопроводности и рассеиваемой мощности стока.