Мощные IGBT транзисторы 2Е802 АЕЯР.432140.283ТУ с приемкой ВП

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные биполярные транзисторы с изолированным затвором 2Е802 АЕЯР.4321140.283ТУ: 2Е802А в металлостеклянных корпусах КТ-9 (TO-3); 2Е802А1 в металлостеклянных корпусах КТ-97В (TO-254); 2Е802В, 2Е802Г в металлостеклянных корпусах КТ-97С (TO-258); 2Е802В3, 2Е802Г3 в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах КТ-111С-2.02 с планарными гибкими плоскими выводами предназначены для работы в качестве силовых ключей в аппаратуре специального назначения.

Транзисторы изготавливаются двух типов шести типономиналов. К первому типу относятся транзисторы 2Е802А, 2Е802А1 структуры PT. Ко второму типу относятся транзисторы 2Е802В, 2Е802В3, 2Е802Г, 2Е802Г3 структуры NPT.

Категория качества приборов – «ВП» (приемка «5»).

Таблица основных параметров
Наименование
изделия
Тип
корпуса
Предельно допустимые электрические режимы Электрические параметры и тепловое сопротивление
UКЭК max,
B
UЗЭ проб max,
B
IК max,
А
IКИ max,
А
PК мах,
Вт
IКЭК,
мА
IЗ. УТ,
нА
UЗЭ пор,
B
UКЭ нас,
B
tрас,
мкс
tсп,
мкс
RТ п-к,
°С/Bт
2Е802А КТ-9 600 ±20 23 46 100 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,25 ≤0,15 ≤1,25
2Е802А1 КТ-97B 600 ±20 23 46 100 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,25 ≤0,15 ≤1,25
2Е802В КТ-97С 1200 ±25 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤3,0 ≤0,45 ≤0,15 ≤0,78
2Е802В3 КТ-111С-2.02 1200 ±25 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤3,0 ≤0,45 ≤0,15 ≤0,78
2Е802Г КТ-97С 600 ±25 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,45 ≤0,15 ≤0,78
2Е802Г3 КТ-111С-2.02 600 ±25 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,45 ≤0,15 ≤0,78